据报道,媒体行业知情人士透露,三星电子已于2025年年底完成了与主要客户的供应合同谈判,并从2026年1月起正式实施新的价格体系。这是继DRAM内存价格被曝上调近70%之后,存储市场的又一重磅调价信号。报道称,三星电子目前已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判,市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。
综观整体存储器市场,缺货的市态尚未有缓解的可能,故合约价的话语权仍落在供应商端。展望未来,TrendForce集邦咨询认为,AI浪潮仍在持续进化,从硬件堆栈、系统架构到软件应用皆在同步推进,存储器已是AI运算不可或缺的核心***。在AI 服务器、高效能运算与企业级储存需求长期支撑下,DRAM与NAND Flash合约价涨势预期将延续至2027年,因此市场的营收成长动能有望延续至2027年。
存储公司业绩“暴增”
东莞证券指出,相关产业链调查显示,2026年存储产能空前紧张,大型云服务厂商已经提前启动2027年供货产能的“捆绑式谈判”,将***购量、价格条件与后续年度供货目标一起协商,最快或将于今年一季度敲定2027年供货合同。供应端存储三大原厂短期内难有效扩产。模组厂普遍有颗粒短缺与下游配货压力,业内人士表示大型模组厂实际取得的颗粒,也仅有原先需求的30%—50%;手机与PC等传统应用被排至后段,多数品牌厂今年仅能取得原本50%—70%供应量。
根据Omdia数据,2026年,三星电子、SK海力士、美光科技三大DRAM原厂的晶圆总产出预计同比增长约5%达1800万片,但仍难以满足市场的需求。国产替代、自主可控仍是当下半导体领域的重大趋势,全球内存芯片供给紧张,国产厂商扩产动力充足,有助于通过产能扩张实现市场份额扩张,加速国产替代进程。技术层面,3D NAND、HBM等行业前沿技术工艺不断突破,“两存”(长鑫存储、长江存储)等国产重点厂商在技术层面奋起直追,长鑫科技DDR5产品已经完成量产,性能达到国际先进水平,被广泛应用于服务器、个人电脑等领域;LPDDR5X产品通过创新封装技术和优化内存设计,在容量、速率、功耗上都有显著提升,最高速率较上一代提升约66%,功耗较LPDDR5降低30%。
值得关注的是,长鑫科技已正式启动IPO,资本化提速利好后续扩产。目前,长鑫科技在合肥、北京共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,产能规模全国第一,全球第四,仅次于三星电子、SK海力士和美光科技。
据悉,该公司申报科创板上市拟募资295亿元,用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设,合计总投资规模达345亿元。同时,长鑫科技2025年前三季度营收为321亿元,净利润为-60亿元;预计全年营收为550亿—580亿元,净利润为20亿—35亿元;预计2025年第四季度单季度营收为229亿—259亿元,净利润为80亿—95亿元。
此外,本轮存储市场的大涨价也带动不少存储行业公司的业绩“暴增”。如佰维存储发布的业绩预告显示,预计2025年实现营收100亿元至120亿元,同比增长49.4%至79.2%。2025年单四季度营收34.2亿元至54.2亿元,同比增长105.1%至224.9%,环比增长28.6%至103.7%。预计2025年度实现归母净利润8.5亿元至10亿元,同比增长427.2%至520.2%,2025年单四季度归母净利润预计为8.2亿元至9.7亿元,同比增长1225.4%至1449.7%,环比增长219.9%至278.4%。
佰维存储在投资者关系记录中表示,从当前来看,存储产品价格在2026年第一季度、第二季度有望持续上涨。在供应方面,公司积极备货,目前库存较为充足。公司与全球主要存储晶圆原厂继续签订LTA(长期供应协议),公司北美客户亦积极与原厂沟通,帮助公司锁定原厂产能,有效保障关键原材料的稳定供应。
来源:证券时报返回搜狐,查看更多